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RFIDの交信方式と国際規格
RFIDシステムは使用する周波数帯により電磁結合方式、電磁誘導方式、マイクロ波方式などに分類されます。
各方式の特徴を以下の表に示します。
方 式 電磁結合 電磁誘導 マイクロ波 UHF
交信周波数 400~550KHz 125~ 13.56MHz 2.45GHz 860~
135KHz 960MHz
交信距離 0~150mm 0~600mm 0~ 0~10m (1.5~5m)
700mm
交信速度 ○ △ ◎ ◎ ◎
交信の指向性 △ × ○ ○ ○
交信時の反射/干渉等 ◎ △ ◎ × ×
の影響
耐電磁界ノイズ性 ○ △ ◎ ◎ ◎
耐水性・耐油性 ○ ○ ○ × ×
国内法規対応 ◎ ○ ◎ △ ×
(電波法・安全)
海外法規対応 ○ ○ ◎ ○ ○
(電波法・安全)
国際規格 × ISO18000-2 ISO18000- ISO18000-4 ISO18000-6
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RFIDの交信方式と国際規格
RFIDシステムは使用する周波数帯により電磁結合方式、電磁誘導方式、マイクロ波方式などに分類されます。
各方式の特徴を以下の表に示します。
方式 電磁結合 電磁誘導 マイクロ波 UHF
交信周波数 400~550KHz 125~ 13.56MHz 2.45GHz 860~
135KHz 960MHz
交信距離 0~150mm 0~600mm 0~ 0~10m (1.5~5m)
700mm
交信速度 ○ △ ◎ ◎ ◎
交信の指向性 △ × ○ ○ ○
交信時の反射/干渉等 ◎ △ ◎ × ×
の影響
耐電磁界ノイズ性 ○ △ ◎ ◎ ◎
耐水性・耐油性 ○ ○ ○ × ×
国内法規対応 ◎ ○ ◎ △ ×
(電波法・安全)
海外法規対応 ○ ○ ◎ ○ ○
(電波法・安全)
国際規格 × ISO18000-2 ISO18000- ISO18000-4 ISO18000-6
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RFIDの交信方式と国際規格
RFIDシステムは使用する周波数帯により電磁結合方式、電磁誘導方式、マイクロ波方式などに分類されます。
各方式の特徴を以下の表に示します。
方 式 電磁結合 電磁誘導 マイクロ波 UHF
交信周波数 400∼550KHz 125∼ 13.56MHz 2.45GHz 860∼
135KHz 960MHz
交信距離 0∼150mm 0∼600mm 0∼ 0∼10m (1.5∼5m)
700mm
交信速度 ○ △ ◎ ◎ ◎
交信の指向性 △ × ○ ○ ○
交信時の反射/干渉等 ◎ △ ◎ × ×
の影響
耐電磁界ノイズ性 ○ △ ◎ ◎ ◎
耐水性・耐油性 ○ ○ ○ × ×
国内法規対応 ◎ ○ ◎ △ ×
(電波法・安全)
海外法規対応 ○ ○ ◎ ○ ○
(電波法・安全)
国際規格 × ISO18000-2 ISO18000- ISO18000-4 ISO18000-6
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シリアル通信
■構成機器
KV-1000 CPUユニット
KV-L20R シリアル通信ユニット
シリアル通信のメリット
■I/O接続にくらべ、省配線で様々なデータのやり取りが可能
シリアル通信のデメリット
■プログラムが複雑になる
・バイナリ⇔アスキー変換
・データの結合
通信マクロ設定ソフト『PROTOCL STUDIO』を使用すれば、
従来の無手順通信に比べ1/3以下のプログラムで通信が実現
できます
ラダープログラムはこれだけ!
バイナリ⇔アスキー変換やデータの結合を自動で行ないますので、プログラムが非常に簡単に
なります
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RFIDの交信方式と国際規格
RFIDシステムは使用する周波数帯により電磁結合方式、電磁誘導方式、マイクロ波方式などに分類されます。
各方式の特徴を以下の表に示します。
方 式 電磁結合 電磁誘導 マイクロ波 UHF
交信周波数 400∼550KHz 125∼ 13.56MHz 2.45GHz 860∼
135KHz 960MHz
交信距離 0∼150mm 0∼600mm 0∼ 0∼10m (1.5∼5m)
700mm
交信速度 ○ △ ◎ ◎ ◎
交信の指向性 △ × ○ ○ ○
交信時の反射/干渉等 ◎ △ ◎ × ×
の影響
耐電磁界ノイズ性 ○ △ ◎ ◎ ◎
耐水性・耐油性 ○ ○ ○ × ×
国内法規対応 ◎ ○ ◎ △ ×
(電波法・安全)
海外法規対応 ○ ○ ◎ ○ ○
(電波法・安全)
国際規格 × ISO18000-2 ISO18000- ISO18000-4 ISO18000-6
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シリアル通信
■構成機器
KV-1000 CPUユニット
KV-L20R シリアル通信ユニット
シリアル通信のメリット
■I/O接続にくらべ、省配線で様々なデータのやり取りが可能
シリアル通信のデメリット
■プログラムが複雑になる
・バイナリ⇔アスキー変換
・データの結合
通信マクロ設定ソフト『PROTOCL STUDIO』を使用すれば、
従来の無手順通信に比べ1/3以下のプログラムで通信が実現
できます
ラダープログラムはこれだけ!
バイナリ⇔アスキー変換やデータの結合を自動で行ないますので、プログラムが非常に簡単に
なります
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レー ザ 知 識 用 語 辞 典 N o . 4
波長 空 間を伝わる波(波動)の持つ周期的な長さのこと。
(wave length )
半 導体レーザ 半導体材料で作る レーザのこ pn接合の間に活性層という光が出る層があり、
と。
(semiconductor laser ) p側のホールとn側の電子が結合する レーザ光を発光します。
と
再結合によって
光エネルギー
発光する
+
接合
光エネルギー
電源
LED
+
p GaAs
+
n GaAs
光エネルギー
- 構造はダイオードと全く一緒です。
母体をG A に変えるだけで、
as エネルギーが熱から
光に代わり E
L Dになります。
光の増幅を行う半導体結晶の中心部(活性層)は光が全反射して外にもれないよ な、
う
構造になっています。一般的には、半導体レーザは、通信用、
光ディスク用以外にレーザ励起源として利用されています。
レー ザ 知 識 用 語 辞 典 N o . 4
波長 空 間を伝わる波(波動)の持つ周期的な長さのこと。
(wave length )
半 導体レーザ 半導体材料で作る レーザのこ pn接合の間に活性層という光が出る層があり、
と。
(semiconductor laser ) p側のホールとn側の電子が結合する レーザ光を発光します。
と
再結合によって
光エネルギー
発光する
+
接合
光エネルギー
電源
LED
+
p GaAs
+
n GaAs
光エネルギー
- 構造はダイオードと全く一緒です。
母体をG A に変えるだけで、
as エネルギーが熱から
光に代わり E
L Dになります。
光の増幅を行う半導体結晶の中心部(活性層)は光が全反射して外にもれないよ な、
う
構造になっています。一般的には、半導体レーザは、通信用、
光ディスク用以外にレーザ励起源として利用されています。
◆設置距離とイオンの発生周期
+、−のイオンを発生する除電器を設置する場合、設置距離に応じてイオンの発生周期を設定する必要が
あります。
(1)近距離設置の場合(設置距離100mm以下程度)
設置距離が100mm以下程度の場合、イオンの発生周期を早くしておかないと、イオンバランスが悪くなり
ます。
■イオンの発生周期が早い場合
■イオンの発生周期が遅い場合
電極針 電極針
+、−のイオンが均一に +イオンが集中する部分、
供給されるため、イオン −イオンが集中する部分
バランスが良くなります。 ができるため、イオンバ
ランスが悪くなります。
進行方向 進行方向
(2)距離を離して設置する場合(設置距離100mm以上の場合)
設置距離が100mm以上の場合は、イオンの発生周期を遅く設定しておかないと、イオンの再結合が起こり、
遠くまでイオンが到達しません。
■イオンの発生周期が早い場合
■イオンの発生周期が遅い場合
電極針 電極針
+、−のイオンが再結合 +、−イオンの再結合が
し、離れた位置までイオ 少なく、遠くまでイオン
ンが到達しません。 が到達します。
帯電物 帯電物
極意 其の弐 設置場所を極める│6
◆設置距離とイオンの発生周期
+、−のイオンを発生する除電器を設置する場合、設置距離に応じてイオンの発生周期を設定する必要が
あります。
(1)近距離設置の場合(設置距離100mm以下程度)
設置距離が100mm以下程度の場合、イオンの発生周期を早くしておかないと、イオンバランスが悪くなり
ます。
■イオンの発生周期が早い場合
■イオンの発生周期が遅い場合
電極針 電極針
+、−のイオンが均一に +イオンが集中する部分、
供給されるため、イオン −イオンが集中する部分
バランスが良くなります。 ができるため、イオンバ
ランスが悪くなります。
進行方向 進行方向
(2)距離を離して設置する場合(設置距離100mm以上の場合)
設置距離が100mm以上の場合は、イオンの発生周期を遅く設定しておかないと、イオンの再結合が起こり、
遠くまでイオンが到達しません。
■イオンの発生周期が早い場合
■イオンの発生周期が遅い場合
電極針 電極針
+、−のイオンが再結合 +、−イオンの再結合が
し、離れた位置までイオ 少なく、遠くまでイオン
ンが到達しません。 が到達します。
帯電物 帯電物
極意 其の弐 設置場所を極める│6
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